MOSFET和雙極性晶體管不同，MOSFET在沒有切換（切換導(dǎo)通或是切換關(guān)斷）時(shí)，不需要固定的功率輸入。MOSFET的隔離閘極會形成電容器（閘極電容），在每一次切換導(dǎo)通或關(guān)閉時(shí)，會需要充電或放電。晶體管的基極至少需要特定的電壓才能導(dǎo)通，同様?shù)?，閘極電容需要一定的電壓才能充電，讓晶體導(dǎo)通。同樣的，若要關(guān)斷晶體，也需要釋放電容器上的電荷，因此閘極電容也需要放電。

在功率晶體導(dǎo)通或是關(guān)斷，不會立刻就切換到完全導(dǎo)通或是完全不導(dǎo)通的狀態(tài)，切換過程中可能會有短暫時(shí)間通過大電流，且功率晶體上有較大的電壓。因此在切換時(shí)會使晶體發(fā)熱，若控制不當(dāng)，甚至?xí)茐墓β示w。因此有需要使切換時(shí)間越短越好，以降低其切換損失。一般的切換時(shí)間約在微秒等級。晶體的切換時(shí)間和驅(qū)動(dòng)閘極需要的電流成反比。因此切換電流一般會要求在數(shù)百mA的等級，甚至?xí)綌?shù)安培的大小，因?yàn)橐话愕拈l極電壓會在10-15V之間，切換時(shí)會需要消耗數(shù)瓦特的功率。假如需要高速的切換大電流，例如直流-直流轉(zhuǎn)換器或是大型的電動(dòng)機(jī)，會將數(shù)個(gè)功率晶體并聯(lián)，以提供夠大的切換電流及功換功率。

功率晶體的切換信號一般是由邏輯電路或是單片機(jī)提供，其輸出信號的電流一般會限制在數(shù)毫安。若功率晶體直接以此信號驅(qū)動(dòng)，其切換速度會非常的慢，而且產(chǎn)生的切換損失很大。在切換時(shí)，閘極電容會快速的抽電流，可能會從邏輯電路或是單片機(jī)抽取過多的電流，造成元件的永久損壞。為了避免此一情形，會在邏輯電路及單片機(jī)輸出電路和功率晶體之間加上閘級驅(qū)動(dòng)器。